功率MOSFET雪崩击穿问题分析 　论文摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。

论文名称： 功率MOSFET雪崩击穿问题分析 作　　者： 李意，尹华杰，牟润芝 专业类别： 论文来源： 转载 刊载杂志： 上 传 人： 矿泉水 发布时间： 2006-12-6 9:31:44 论文星级： ★★★ 文件大小： 85.14KB 预计下载时间: 拔号 (56 kbps) 512K ADSL 1M ADSL 100M接入 网友评分： 人 气 数： 下载次数： 论文性质： 下载:会员3个积分/vip会员0个积分 关 键 字： 双极性晶体管；功率MOSFET；雪崩击穿；寄生晶体管；能量耗散

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